Подобно на графена, MXenes е двуизмерен материал от метален карбид, съставен от слоеве от титанови, алуминиеви и въглеродни атоми, всеки от които има своя собствена стабилна структура и може лесно да се движи между слоевете. През март 2021 г. Държавният университет за наука и технологии в Мисури и Националната лаборатория в Аргон проведоха изследване върху материалите MXenes и установиха, че свойствата против износване и смазочните свойства на този материал в екстремни среди са по-добри от традиционните смазочни материали на маслена основа и могат да се използват като " "Супер смазка" за намаляване на износването на бъдещи сонди като Perseverance.
Изследователите симулираха космическата среда и тестовете за триене на материала установиха, че коефициентът на триене на интерфейса MXene между стоманената топка и покрития със силициев диоксид диск, образуван в „суперсмазано състояние“, е нисък от 0,0067 до 0,0017. По-добри резултати бяха получени, когато графенът беше добавен към MXene. Добавянето на графен може допълнително да намали триенето с 37,3% и да намали износването с коефициент 2, без да повлияе на суперсмазващите свойства на MXene. Материалите MXenes са добре адаптирани към среда с висока температура, отваряйки нови врати за бъдеща употреба на смазочни материали в екстремни среди.
Беше обявен напредъкът в разработката на първия 2nm технологичен чип в Съединените щати
Постоянно предизвикателство в полупроводниковата индустрия е едновременното производство на по-малки, по-бързи, по-мощни и по-енергийно ефективни микрочипове. Повечето компютърни чипове, които захранват устройствата днес, използват 10- или 7-нанометрова технология, като някои производители произвеждат 5-нанометрови чипове.
През май 2021 г. IBM Corporation от Съединените щати обяви напредъка в разработката на първия в света чип с 2nm процес. Транзисторът на чипа приема трислоен нанометров гейт навсякъде (GAA) дизайн, използвайки най-модерната технология за екстремна ултравиолетова литография за определяне на минималния размер, дължината на транзисторния гейт е 12 нанометра, плътността на интеграция ще достигне 333 милиона на квадратен милиметър, и 50 милиарда могат да бъдат интегрирани.
Транзисторите са интегрирани в площ с размер на нокът. В сравнение със 7nm чипа, чипът с 2nm процес се очаква да подобри производителността с 45%, да намали консумацията на енергия със 75% и може да удължи живота на батерията на мобилните телефони четири пъти, а мобилният телефон може да се използва непрекъснато в продължение на четири дни само с едно зареждане.
В допълнение, новият процесен чип може значително да подобри производителността на преносимите компютри, включително подобряване на мощността за обработка на приложенията на преносимите компютри и скоростта на достъп до Интернет. В самоуправляващите се автомобили чиповете с 2nm процес могат да подобрят възможностите за откриване на обекти и да съкратят времето за реакция, което значително ще насърчи развитието на областта на полупроводниците и ще продължи легендата за закона на Мур. IBM планира да произвежда масово 2nm чипове през 2027 г.
Време на публикуване: 01 август 2022 г